４月２０日，研讨人员在展现我国第一款具有自主知识产权的相变存储器（ＰＣＲＡＭ）芯片。我国第一款具有自主知识产权的相变存储器（ＰＣＲＡＭ）芯片研制成功，打破了存储器芯片出产技术长时间被国外独占的局势，产业化远景可观。据介绍，该款ＰＣＲＡＭ试验芯片存储容量为８Ｍｂ，在８英寸硅片上的每一块存储芯片，存储单元成品率达９９％以上。到２０１０年末，该款ＰＣＲＡＭ相变存储器现已取得５０多项发明专利授权，１５０多项专利揭露，相关专利散布包括从资料、结构工艺、规划到测验的芯片出产悉数流程。新华社记者 刘颖 摄

  ４月２０日，在中国科学院上海微体系与信息技术研讨所，研讨人员在相变存储器芯片进行语音功用演示。新华社记者 刘颖 摄

  ４月２０日，中国科学院上海微体系与信息技术研讨所研讨员、ＰＣＲＡＭ研讨项目负责人宋志棠（左）与研讨人员在试验室内作业。新华社记者 刘颖 摄