MAPS-010163-DIE 是 GaAs pHEMT 6 位数字移相器。 步长为 5.6°，供给相移从 0° 到 360°，步长为 5.6°。 这种规划已通过优化，以最好可以下降改变在相移范围内衰减。MAPS-010163-DIE 很合适运用其间相位精度高，损耗最小需要在相移范围内改变。典型运用包含通讯天线和相控阵雷达。MAPS-010163-DIE 特征

  MA4E2513L-1289 SURMOUNTTM 二极管是硅低势垒肖特基器材，选用取得专利的异石微波集成电路 (HMIC™) 工艺制作。HMIC™ 电路由硅基座组成，这些基座构成二极管或嵌入玻璃电介质中的通孔导体，玻璃电介质用作低色散微带传输介质。硅和玻璃的结合使 HMIC™ 设备在一个薄型、牢靠的设备中具有十分超卓的损耗和功耗特性。Surmount Scho

  MMD820-E28是一款 PIN 二极管 SPST 开关元件，专为高达 5 W CW 的中等入射功率运用而规划。它具有低插入损耗和低于 6.0 GHz 的中等阻隔度MMD820-E28特征小尺度（40 密耳 X 25 密耳）低插入损耗 0.3 dB（典型值）高达 6.0 GHz支撑高达 5 瓦的功率高达 6.0 GHz 的宽带功用开关运用的本钱效益挑选契合

  MACOM的XL1002-BD三级平衡20.0-36.0 GHz GaAs MMIC低噪声放大器具有23.0 dB的小信号增益，整个频带的噪声系数为2.6 dB。该MMIC选用MACOM的GaAs-pHEMT器材模型技能，并根据电子束光刻技能，以保证高重复性和均匀性。芯片具有外表钝化功用，以维护并供给具有反面通孔和金金属化的巩固部件，然后答应导电环氧或共晶焊

  MRF10120首要规划用于960–1215 MHz长脉冲共基极放大器运用，如JTIDS和S形式发射机。MRF10120产品规格零件编号 MRF10120简略描绘 微波长脉冲功率硅NPN晶体管120W（峰值），960–1215MHz最小频率（MHz） 960最大频率（MHz） 1215偏压（V） 36普特（W） 120增益（dB）

  MACOM供给非磁性、低本钱、外表贴装塑料封装的硅PIN二极管，用作开关和衰减器。这些二极管供给100%哑光锡镀层。这些PIN二极管具有多种I区长度，然后为各种微波操控电路运用供给更低的电阻和更低的电容器材。MADP-011128-11410T系列供给最低的串联电阻，作为低损耗串联开关和高阻隔并联开关，具有最佳功用。MADP-011128-11410T产品规

  MACOM的MA4P506-255封装PIN二极管产品线代表了PIN二极管电气特性和封装外形的归纳组合。半导体和封装技能的这种结合为PIN二极管电路规划者供给了相当大的规划灵活性。快速开关速度PIN二极管运用薄的I区二氧化硅钝化芯片，结合了对半导体工艺的细心操控。这些二极管在操控电路运用中完成了共同的功用。封装的CERMACHIP PIN二极管选用MACOM

  MACOM的MA4PK3001千伏™ PIN二极管系列选用现代半导体和封装技能，保证在低至1MHz的频率下，在多千瓦开关运用中具有低损耗、低失真和牢靠的功用。所选用的PIN芯片具有低电阻、高功耗和十分高的耐受电压才能。千伏™ PIN二极管选用超高电阻、长载流子寿数的浮区资料，运用MACOM为高压PIN二极管规划的外延工艺在其上堆积P+和N+区。与传统的双扩散

  MMSPN050-C54宽带中功率微带PIN二极管在偏置为零或负电压时规划为50欧姆微带。该器材具有从50MHz到40GHz的极高阻隔度，并能完成小于250ns的开关速度。MMSPN050-C54产品规格零件编号 MMSPN050-C54描绘 微带PIN二极管最小击穿电压（V） 200包裹 第54列包装类别 各式各样的罗氏硬度计 对

  MNP0008-T54P宽带中功率微带PIN二极管在偏置为零或负电压时规划为50欧姆微带。该器材具有从50MHz到40GHz的极高阻隔度，并且能轻松完成小于250ns的开关速度。MNP0008-T54P产品规格零件编号 MNP0008-T54P描绘 硅PIN二极管：NIP最小击穿电压（V） 100电阻（欧姆） 2总电容（pF） 0.280寿