日前，宁波年代全芯科技有限公司发布了自主研制的55纳米相变存储芯片，成为继韩国三星、美国美光之后，国际上第三家、我国第一家具有相变存储技能自主知识产权的企业。业界人士以为这将有利于打破存储器芯片出产技能被国外公司独占的局势。相变存储是第四代存储技能，比现有传统芯片履行速度快1000倍，耐久性高1万倍。

  以“芯年代、存国际”为主题的“2013宁波年代全芯科学技能产品发布会”11月28日在宁波举办，宁波年代全芯科技有限公司现场发布了55纳米相变存储芯片，意味着该企业成为继韩国三星、美国美光之后，第三家具有这项技能的企业，打破了存储器芯片出产技能长时间被国外独占的局势。据悉，该企业2014年投入量产，工业化远景可观。

  宁波年代全芯公司相变存储技能具有完全自主知识产权，已请求专利57项，正在请求的专利有141项。其研制团队由美国国家工程院院士、我国科学院外籍院士马佐相等专家组成。

  从静态随机存储技能(SRAM)到动态随机存储技能(DRAM)再到当时抢手的闪存技能(Flash)，人类关于存储功用的追求是无止境的。在云核算、大数据年代，数据的迅猛增加对存储的处理功用提出了更高的乃至近乎严苛的要求。近几年才逐步步入商品化的新一代存储技能相变存储(PCM)，以高功用著称，具有代替传统存储乃至闪存的才能，由此势必将引发存储商场的新一轮革新。

  相变存储技能的原理是使用存储资料在晶态和非晶态下的导电性差异，完成对数据的存储。与传统存储技能比较，相变存储能够将存储器的体积大大减缩。以全球查找巨子谷歌为例，用这种新技能后，本来3个足球场巨细的存储器能够“浓缩”到一个20平方米的房间里。

  PCM是一种“非易失性存储器”，与第三代的闪存技能相同具有非挥发性，但又比闪存更经用。闪存的寿数一般约为10万次读/写，这关于许多高端存储使用来说是远远缺乏的。比较之下，PCM的经用性数千至数百万倍于闪存，这让PCM在企业级存储使用中具有了更多用武之地。

  据预测，每位元的PCM的实践本钱将很快到达与闪存适当乃至更低，在未来30年内，根据PCM技能出产的半导体产品将成为电子存储器工业高质量开展的首要支撑力气。

  相变内存的概念提了很多年，早现已不是海市蜃楼，而是悄然进入了有用。2009年，美光展现了1Gb相变内存，45nm工艺制作，存储单元面积0.015平方微米。2011年，三星投产了NOR兼容的65nm相变内存，并用在了三星自己的GT-E2550GSM功用手机中，但产值和销量都很少。2012年，美光初次完成了相变内存的量产，并在年末宣告用于诺基亚的Asha系列手机。

  从2002年起，中科院上海微体系所就开端攻关下一代新式相变存储器，并接受我国“极大规划集成电路制作配备及成套工艺”、“973方案”等相关使命。2011年，中科院上海微体系所、中芯国际、微芯等企业组成百余人产学研团队，成功研制出具有自主技能的相变存储器，随后进一步向工程化范畴开展。

  此次宁波年代全芯科技有限公司发布的PCM处理器，将有利于终究打破存储器芯片出产技能被国外公司独占的局势。我国作为多种电子科技类产品的国际最大出产国，每年耗费存储器材占全球三分之一，但此前一向未完成存储器国产。国务委员本年3月曾指出，2012年进口芯片约1650亿美元，乃至超过了进口石油的1200亿美元。但据业界测算，我国2012年进口集成电路的实践规划应该挨近2000亿美元。

  “未来几年，这种严峻依靠进口的状况将会完全改写，由于相变技能的遍及是一个必然趋势。现在，闪存技能做到28纳米现已是极致，而相变技能能做到7纳米，其制作本钱将是前者的十分之一，在速度、寿数等方面的优势又十分明显，未来必将代替硬盘驱动器和现有多种存储器芯片。”年代全芯公司董事长张龙说。

  根据这种判别，年代全芯决定在未来五年出资20亿美元将宁波鄞州打造成“我国芯片城”，2015年投产后，仅芯片产品自身的年产值就到达200亿元左右，其带动的工业链将是千亿量级。

  张龙表明，“华为、联想现已对咱们的样品表明了浓厚兴趣，咱们的短期开展方针也是掩盖电子消费产品，未来再向高端用户商场进军。”

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