作为当前最尖端的高科技之一，半导体芯片这几年在国内很热门，不仅在新闻媒体报道上刷屏，而且国内最近几年上马了不少半导体项目，几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的所有的领域。在众多半导体项目中，存储芯片是国内优先发展的，毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。国内较为重要的存储芯片项目有长江存储、合肥长鑫及福建晋华，但在NAND/DRAM内存之外，还有一个项目有必要注意一下，那就是江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目，总投资高达130亿元，一期投资43亿元，在江苏淮安建设的晶圆厂明年Q1季度就要量产了，号称年产10万片12英寸PCM晶圆，销售额高达20亿美元。
对于PCM相变存储芯片，我们之前的报道零星提过这种芯片，英特尔的3D XPoint芯片一直被传是基于PCM相变存储技术的，但是英特尔始终没解密。江苏时代芯存公司有过PCM存储芯片的介绍：
PCM是一种非易失存储技术，它利用特别的材料在不同相间的电阻差异来存储信息。相较传统的存储技术，相变存储器耗电低、稳定性很高、抗辐射、成本低、存储容量远大于高端硬盘、运行速度快1000倍，并且耐久性多1000倍。 PCM是业界公认的第四代相变存储器的最成熟的技术，其可微缩性特点更让它被誉为21世纪的存储器统一标准。PCM未来不仅会逐渐取代现有存储器市场的大多数，而且将会大大扩展现有的存储器市场，尤其是目前尚处在市场婴儿期的大数据、物联网、可穿戴设备等等市场，前景极为可观。
江苏时代芯存半导体有限公司正式成立于2016年10月，公司股东有江苏时代全芯存储科技有限公司和淮安园兴投资有限公司。公司致力于开发及生产搭载最新PCM技术的存储产品。江苏淮安PCM生产项目总投资130亿元，一期投资43亿元，淮安园兴投资有限公司出资16亿元人民币占股44%。江苏时代全芯存储科技有限公司以自有的知识产权和现金出资，占股56%，其中知识产权最重要的包含公司的专有技术及专利。江苏时代芯存公司的控股方是江苏时代全芯存储科技有限公司，虽然他们宣布PCM技术是有完整知识产权的，号称是三星、美光之后第三家拥有存储器技术和自主知识产权的公司，不过他们的技术来源其实就是购买了IBM的专利授权。根据淮安人才网早前的报道，江苏时代全芯存储科技有限公司自2009年与IBM合作以来，所生成的275项授权自IBM的专利、92项自主知识产权专利及近1000项非专利专有技术都正式转移到了江苏淮安。
海外的半导体技术发展多年，有很多技术积累，购买技术授权其实没什么问题，反而能节约很多研发时间及投资，这点没必要纠结，不过让人担心的是江苏时代全芯存储科技有限公司的PCM项目实际上经历过多次波折，2014年最早在宁波就举行了开工仪式，结果到2016年的时候就没后文了，之后与淮安市合作，变成了现在的江苏时代芯存公司。
江苏时代芯存公司在淮安的PCM芯片项目总投资高达130亿元，一期投资就有43亿，工厂已经在去年底封顶，今年3月份设备进厂安装，9月份开始试产，预计明年Q1季度正式量产，而且生产规模在PCM芯片中可谓庞大，年产10万片12英寸PCM芯片晶圆，比较让人迷惑的地方是销售额，江苏时代全芯存储科技有限公司官网上表示一期项目投产后年销售额可达20亿美元，不过别的报道中提到年销售额是45亿。
江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目已经事实了，现在最关键的就是他们能否真的实现项目建设的目标，PCM芯片技术上亮点很多，但是迟迟没有大规模量产也不是没有原因的，PCM芯片除了生产难度之外还有一个核心问题就是容量太小，核心容量不过512Mb、1Gb左右，与NAND闪存的512Gb、1TB相去甚远，所以不可能替代NAND闪存，大多数都用在一些嵌入式产品中，但是相比NOR闪存之类的产品，PCM相变存储目前也无显著的优势。
江苏时代全芯存储科技有限公司对自己的PCM芯片详细规格讳莫如深，也无从得知他们的技术水平到底多高，不过从他们官网上公布的路线年他们会推出高密度相变芯片2D XPoint，2021年推出二期相变产品MLC、3D XPoint，还有神经网络智能存储产品。根据官方所说，时代全芯将致力于多单元内存（MLC），交叉点结构(3DX Point),制造工艺区块（Process Macro）不同架构的研究，逐步完成 20纳米以下的大容量PCM存储器(128Gb/256Gb)工艺技术与产品功能性验证。通过前期市场的认知和积累，以及时代全芯在PCM生产方面的经验和国内IDM一起进军全球128Gb/256Gb大容量存储如SCM，U盘、SSD（固态硬盘）等领域。
每生产一个打印机用的芯片，仅去掉电池一项，成本就能降低20%。中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室主任宋志棠，兴奋地给解放日报·上观新闻记者算了一笔账，他们联合中芯国际集成电路制造(上海)有限公司和珠海艾派克微电子有限公司开发的相变存储器芯片，无需像其他芯片一样携带电池，大小不到1平方厘米，不仅增加了系统稳定性，更加环保，还节省了加工费，4个月来已完成销售1600万颗。这是国际上第一个 嵌入式 相变存储器实现产业化的产品。下面就随嵌入式小编共同来了解一下相关联的内容吧。 国产相变存储器突破 打印机用芯片成本降低20% 在上海微系统所的信息功能材料国家重点实验室，解放日报·上观新闻记者看到，同样查询98M
电子网消息，近日，纳思达股份有限公司（以下简称“公司”）收到全资子公司珠海艾派克微电子有限公司（以下简称“艾派克微电子”）的通知，艾派克微电子、中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称“中科院上海微系统所”）以及中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）在相变储存器（“PCRAM” ，Phase Change Random Access Memory）产业化获突破性进展，三方联合研发打印机用基于PCRAM耗材芯片，在130纳米技术节点取得了工程应用的突破，并成功批量生产与销售。 这是继国家01专项（核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品）中的国产CPU成功在艾派克微电子产业化应用后，国家02专项（《极大规模
世界正处在数据大爆炸时代，人们亟待高密度、高速度、长寿命的新一代存储器救急。上海承担国家科技重大专项、国家纳米重大研究计划等项目，牵头研发新一代存储器，已公开约300项海内外专利，填补了我国自主存储器长期空白，并与国际前沿实现同步。这是昨天举办的“第11届IEEE非易失性存储器国际研讨会”上透露的。 存储器是消费型电子科技类产品的必备单元，这些小小器件每年全世界销售额达600亿美元，但因技术密集且门槛高，市场主要被三星、海力士等5家企业垄断。中国作为多种电子科技类产品的世界最大生产国，每年消耗存储器件占全球三分之一，但此前一直未实现存储器国产。而日韩两国则通过实施国家战略，分别于上世纪80年代和90年代自主掌握存储器技术，也使全球
如果凭老东家的实力，新公司应该让人感觉很有希望。但是现实面临两个大的问题，其一是在专注的存储器领域强手如林，新公司能否脱颖而出；其二是老东家英特尔及意法是否肯下更大的赌注。 全球头号芯片供应商英特尔与欧洲大厂STMicro合资新建的存储器厂Numonyx，中文名叫恒忆公司，于2008年4月1日作为一家全新的半导体公司正式问世。公司主体业务是整合NOR、NAND(两种存储器类型)及内置RAM（内存）的存储器，并利用新型相变移位存储器(PCM)技术，为存储器市场开发提供创新的存储器解决方案。企业主要为手机、MP3播放器、数码相机、超便携笔记本电脑、高科技设备等各种消费电子科技类产品制造商提供全方位的服务。 如果凭老东
非易失性存储器(NVM)在半导体市场占有重要的一席之地，特别是大多数都用在手机和其它便携电子设备的闪存芯片。今后几年便携电子系统对非易失性存储器的要求更高，数据存储应用需要写入速度极快的高密度存储器，而代码执行应用则要求存储器的随机访存速度更快。 经过研究人员对浮栅存储技术的坚持不懈的研究，现有闪存的技术能力在2010年底应该有所提升，尽管如此，现在人们越来越关注有望至少在2020年末以前升级到更小技术节点的新式存储器机制和材料。 目前存在多种不同的可以取代浮栅概念的存储机制，相变存储器（PCM）就是这里面一个最被业界看好的非易失性存储器，具有闪存无法匹敌的读写性能和升级能力。 在室温环境中，基于第六族元素的某些金属（
机制 /
日本中央大学理工学部电气电子信息通信工学科教授竹内健等人的研发小组提出了NAND型相变内存（Phase Change Memory：PCM）方案，并在2012年5月20～23日于意大利米兰举行的“International Memory Workshop（IMW）”上发表。这种内存的选择元件采用多晶硅MOS晶体管，这样就能够使用无需触点的简洁式NAND型闪存的存储器单元结构，理论上，存储器单元的面积可降至4F2，而且还能够大大减少工序数。竹内教授认为，该技术可应用于以“BiCS（Bit-Cost Scalable）”为代表的“采用三维存储器单元结构的PCM等”（竹内）。 传统PCM采用的RAM接口，存在RESET时间在10ns级
近年来，非易失性存储技术在许多方面都取得了一些重大进展，为计算机系统的存储能效提升带来了新的契机，采用新型非易失性存储技术来替代传统的存储技术能适应计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器为代表的多种新型存储器技术因具备高集成度、低功耗等特点而受到国内外研究者的广泛关注，本文介绍相变存储器的工作原理、技术特点及其国内外最新研究进展。 一、相变存储器的工作原理 相变存储器（Phase Change Random Access Memory, 简称PCRAM）的基本结构如图1所示，相变存储器的基本存储原理是在器件单元上施加不同宽度和高度的电压或电流脉冲信号，使相变材料发生物理相态的变化，即晶态（低阻态）和非晶态 （高
器 /
器设计与实现
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