三星电子承认，广为看好的PRAM相变随机存储器总算投入了大规模量产，比原计划的六月份晚了足有一个季度，间隔三星初次展现也已逝去了四年多。

  PRAM是一种非易失性存储技能，经过切换硫系玻璃的结晶态和非结晶态来代表1和0，从而保存数据，不仅能代替做内存运用的动态存储DRAM，并且读写速度能到达NOR和NAND闪存的30倍以上，读写循环寿数也有至少10倍，因而更适合替代闪存技能。

  三星第一批PRAM芯片选用60nm工艺制作，容量512Mb(64MB)，可在80毫秒内擦除64千字(KW)，是NOR闪存的10多倍，一起在5MB巨细的数据区内数据擦除和重写速度大约是NOR闪存的大约七倍。

  三星电子存储部分移动内存规划与推行事业部副总裁Sei-Jin Kim表明：“咱们一直信任PRAM会对手机规划做出很杰出的奉献，特别是多媒体手机和智能手机。估计它将是咱们在未来的中心存储产品。”