“我预备把新一代存储技能带到我国！”昨日上午华人论坛上，美国工程院院士马佐平在讲演中表明，相变存储器将是未来存储的方向。

  出生于甘肃兰州的马佐平现任美国耶鲁大学教授、电机系主任。凭仗在研制“互补性氧化金属半导体”闸介极科技方面的卓越贡献，马佐平成为美国半导体微电子科技范畴的威望。现在，马佐平允领导着新一代存储设备的研制。

  马佐平说，长期以来，广东的微电子工业主要以低端的安装为主，芯片等的研制速度相对较慢。除中芯国际在深圳的加工工厂外，研制力气非常单薄。他说，国际存储器范畴正面临着新一轮的革新，闪存和动态回忆存储在未来3到5年内将到达极限，无法再持续缩小尺度、添加密度。

  “相变存储器是未来开展趋势，将逐渐替代闪存、磁盘等。”他介绍说，三星、IBM等三家国际级的公司正瞄准这一范畴发力，而马佐平允是IBM的合作者。“咱们下一年可能在我国大陆完成量产，不过是代工。估计到2014年今后考虑设厂，正在跟姑苏、天津和广州等地谈。”马佐平泄漏。

  相变存储器(PCM)是新一代非易失性存储器技能。像大多数新科技相同，PCM为运用这项技能的人类带来许多优点。PCM是一种运用材猜中的可逆相态改变来存储信息的非易失性存储器。

  相变存储器是当今全球半导体工业中炙手可热的范畴之一，作为一种新式的存储设备，这一产品有望替代现在广泛运用的“闪存”。现在全球有望完成量产相变存储器的企业寥寥可数，而商场空间又分外巨大，我国企业跻身其间合理当时。

  在马佐平看来，关于根底杰出、期望赶超国际领先水平的我国半导体工业而言，相变存储器是一个“很好的关键”。他说：“我国不能花费很多资源去做他人做了几十年的东西，这样是拼不过的，他人是数千人的精英团队做了几十年，很难赶得上。我国企业应当挑选更高的起点，完成跨越式赶超。”