)今天上午，宁波市鄞州区人民政府与美国全芯科技有限公司签定相变存储器项目出资协议。未来，我国首个具有自主知识产权的存储芯片将在鄞州制作出产。

  什么是相变存储器？记者在网上查阅资料后得知，相变存储器(phase change memory)简称PCM，是一种非易失存储设备，它使用资料的可反转的相变来存储信息。同一物质能够在比如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状况下存在，这些状况都称为相。相变存储器就是使用特别的资料在不同相间的电阻差异进行作业的。

  “与现有传统芯片比较，相变存储器履行速度快1000倍，耐久性多1万倍！”邓万新博士解说说，相变存储将比现在一切的半导体器材有更大的影响力，使用更广泛。现在，相变存储的年代现已降临，它是未来30年相关这类的产品的要害器材。

  据悉，在完结项目签约、选定厂址、环保评价后，美国全芯科技有限公司将于本年5月在宁波鄞州开端建造相变存储器厂。该厂建造分二期施行，其间第一期出资总额达2.5亿美元。估计下一年11月，该厂一期全产能将到达八千片。